【摘 要】
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报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成
【机 构】
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山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东师范大学物理与电子科
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报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六方纤锌矿结构的单晶晶粒,粉末粒度较均匀,FTIR吸收谱有明显的宽化现象.
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