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利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子气（2DEG）面密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度。讨论了掺杂浓度、空间隔离区宽度、Schottky势垒层厚度以及外加电压对2DEG浓度的影响,得到最佳器件参数约为5.2×10^12cm-2。所得结果对器件的设计和参数设定具有指导意义。