【摘 要】
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基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应（GMI）传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。非晶丝具有良好的软磁特性：如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊
【机 构】
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北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院
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基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应（GMI）传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。非晶丝具有良好的软磁特性：如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊的磁畴结构等，利用其GMI效应制成磁传感器，其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗。本文讨论了软磁非晶丝巨磁阻抗效应的机理，叙述了非晶丝GMI传感器的研究进展，着重对敏感材料性能及制备、GMI器件结构形式、传感电路等作了介绍，并指出了GMI目前存在的问题及将来的发展趋势。最后对GMI的应用作了展望。
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