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采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中.
GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究
【摘 要】
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采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增
【机 构】
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中国科学院,苏州大学,中国科学院
【出 处】
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淮阴师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年1期
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