【摘 要】
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为研究交变电场对界面处原子扩散行为及界面反应的影响,将交变电场引入SiC与Ti的扩散连接过程,采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）及剪切性能测试等手段研究了
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为研究交变电场对界面处原子扩散行为及界面反应的影响,将交变电场引入SiC与Ti的扩散连接过程,采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）及剪切性能测试等手段研究了交（直）流电场及电场强度对SiC/Ti扩散连接界面结构、原子扩散、剪切强度的影响,探讨了电场辅助扩散连接的物理机制.研究结果表明：在空洞闭合阶段,电压会使得界面处产生极大的镜像吸附力,使两个表面结合更加紧密,界面吸附力随着外加电压的增大和界面间距的减小而增大;在扩散反应阶段,施加电压会使界面处原子扩散通量增加,即外电压会
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