【摘 要】
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采用电化学方法在导电的ITO/TiO_2薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜,并制得TiO_2/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能.实验表明,CdSe薄膜沿着(111)方向择优生长,
【机 构】
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浙江理工大学物理系光电材料与器件中心,先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,
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采用电化学方法在导电的ITO/TiO_2薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜,并制得TiO_2/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能.实验表明,CdSe薄膜沿着(111)方向择优生长,多层膜结构的厚度和紫外-可见光吸收强度随着沉积层数的增加而增加.通过测定多层膜电极的光电化学性能表明,二层膜体系的开路电压和短路电流密度最大,光电化学性能最好.
The reddish brown CdSe thin films were deposited on ITO / TiO 2 films by electrochemical method and the TiO 2 / CdSe multilayer films were prepared. The microstructures and the photoelectrochemical properties of the multilayer films were investigated. The experimental results show that the CdSe thin films along (111) direction, the thickness and the UV-Vis absorption intensity of the multi-layer film structure increase with the increase of the deposited layers.By measuring the photoelectrochemical properties of the multi-layer film electrode, the open circuit voltage and short circuit The largest current density, the best photoelectrochemical properties.
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