【摘 要】
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利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性。对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子
【机 构】
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长江大学工程技术学院,武汉大学物理科学与技术学院
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利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性。对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论。结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/（V·s）,载流子浓度达6.6×1017cm-3。
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