【摘 要】
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随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战。从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学电子工程系
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随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战。从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保护系统的设计。设计中分析了传统输出端保护可能存在的问题,并采用稳妥的方法对输出端进行了保护。这种架构提高了整个芯片的抗ESD能力,节省了芯片面积,达到了对整个芯片提供全方位ESD保护的目的。设计采用TSMC0.18μm工艺,测试结果验证了该设计的有效性。
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