32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件

来源 :中国科学(E辑:信息科学) | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaosmoon

【摘要】

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32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFE

【作者】

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王阳元张兴刘晓彦康晋锋黄如

【机构】

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北京大学学微电子学研究院,北京大学学微电子学研究院,北京大学学微电子学研究院,北京大学学微电子学研究院,北京大学学微电子学研究院北京100871,北京100871,北京100871,北京100871

【出处】

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中国科学(E辑:信息科学)

【发表日期】

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2008年06期

【关键词】

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集成电路纳米尺度金属栅/高k栅介质超薄体 SOI 器件准弹道输运

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32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32nm及其以下技术节点的候选技术.将对金属栅/高k栅介质等适用于32nm及其以下技术节点的研究进展加以论述.

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