【摘 要】
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分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的响应机理,将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,香港大学
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分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的响应机理,将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化,建立了MISiC SBD气体传感器物理模型,模拟结果与实验十分吻合.采用此模型,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系,并在灵敏度、可靠性和工作电流/电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计,对于300 ℃左右的高温应用,确定出最佳绝缘层厚度为2～2.3 nm.
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