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根据电子输运“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积。用与硅等２效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量。用Ｘ光电子谱、俄歇谱、深能级瞬态谱和Ｃ－Ｖ方法测量分析了ＭＯＳ电容Ｓｉ－ＳｉＯ２材料化学结构，界面态密度和Ｃ－Ｖ曲线在辐射前后的变化，根据理论和实验结果，从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积，电离缺陷和辐射效应间的关系，并提出一个关于