【摘 要】
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采用水热蒸发法制备了NaCl:Ce3+荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)研究了材料的晶体结构.测量并分析材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱.结果表明309和324nm的发射峰
【机 构】
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新疆师范大学物理与电子工程学院物理系,新疆乌鲁木齐,830054
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采用水热蒸发法制备了NaCl:Ce3+荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)研究了材料的晶体结构.测量并分析材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱.结果表明309和324nm的发射峰,对应于Ce3+离子的5d→4f(2Fs/2,2F7/2)跃迁；激发谱显示6个峰,峰位分别为148,190,205,216,232和247 nm.148 nm的激发峰是基质吸收引起的;190,205,216,232和247 nm是Ce3+的4f→5d跃迁引起的.
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