【摘 要】
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本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大
【机 构】
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山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系
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本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大的长波可见光吸收系数和较低的缺陷态密度,a-Si:H(He)膜是一种可供选择的廉价太阳电池的基本材料。
In this paper, the electro-optical properties of a-Si: H films deposited with silane and silane diluted with helium and hydrogen were studied. The photoconductivity, optical absorption coefficient, infrared absorption spectrum and photoluminescence spectrum of the two films were measured. Experiments show that the a-Si: H film diluted with helium has higher photoconductivity, greater long-wave visible absorption coefficient and lower defect density, a-Si: H (He) film is an alternative The basic material for cheap solar cells.
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