【摘 要】
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采用磁控溅射法,通过改变氩氮比率,在Si(100)衬底上成功制备了W2N薄膜,当氩氮比率为20:6时薄膜的结晶性最好.为了改善W2N薄膜的力学和摩擦学性能,采用射频和直流磁控共溅射方
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51272224)
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采用磁控溅射法,通过改变氩氮比率,在Si(100)衬底上成功制备了W2N薄膜,当氩氮比率为20:6时薄膜的结晶性最好.为了改善W2N薄膜的力学和摩擦学性能,采用射频和直流磁控共溅射方法分别在Si(100)和A304不锈钢衬底上制备了软质金属Y和硬质金属Cr共掺杂的W2N(Y-Cr:W2N)薄膜.在掺杂功率20~50 W范围内,当掺杂功率为30 W时,薄膜具有最大硬度,为23.71 GPa,此时样品的弹性模量为256.34 GPa;当掺杂功率为20 W时,薄膜的平均磨擦系数最小,为0.37.这表明,金属Y和
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