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本文尝试采用非含水的ＮＨ４Ｆ或ＫＦ以及含水的ＫＦ电解质溶液对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）表面的阳极氟化进行了研究，着重分析了阳极氟化膜生长的基本过程及其机理，讨论了阳极氟化条件及工艺对薄膜组成及质量的影响。
HgCdTe表面钝化——阳极氟化的初步研究
【摘 要】
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本文尝试采用非含水的ＮＨ４Ｆ或ＫＦ以及含水的ＫＦ电解质溶液对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）表面的阳极氟化进行了研究，着重分析了阳极氟化膜生长的基本过程及其机理，讨论了阳极氟化条件及工艺对薄膜组成及质量的影响。
【机 构】
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上海大学（嘉定校区）,中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1996年1期
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