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以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性。
电力半导体器件的低温特性
【摘 要】
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以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性。
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1996年2期
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