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采用聚焦连续波CO2激光束对n型InP基片进行局域加热，并利用专用的温度测量系统对InP基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量．结果表明，在基片初始温度为室温时，难以得到满足加工所要求的温度上升．增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求，但温度的稳定性较差．采用研制的温度控制系统，可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升．