【摘 要】
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采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32～38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能.该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元
【机 构】
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西安交通大学微电子学院,西安710049;广东顺德西安交通大学研究院,广东佛山528000;成都振芯科技股份有限公司,成都610000;航空工业西安航空计算技术研究所,西安710049;集成电路与微系
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采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32～38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能.该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦.后仿结果表明,输入输出反射系数均小于-9.5 dB,反向隔离度小于-80 dB,插入损耗优于-6.5 dB.在-55℃～125℃宽温范围内相对相移最大误差小于2.2°,全频带RMS移相误差小于1.5°,RMS增益误差小于0.35 dB.总功耗为18.2 mW,芯片核心面积为0.21 mm2.
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