【摘 要】
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应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的价带E（k）-k关系模型,研究获得了[100]
【机 构】
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辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,西安电子科技大学微电子学院
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应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的价带E（k）-k关系模型,研究获得了[100]和[001]晶向的价带结构及相应的空穴有效质量。结果表明,与弛豫材料相比,应变引起了应变Si/（001）Si1-xGex价带顶的劈裂,且同一晶向族内沿[001]和[100]两个晶向的价带结构在应力的作用下不再对称,相应的空穴有效质量随Ge组份有规律地变化。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该结论为Si基应变PM
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