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文章介绍了一种半导体端泵浦的Nd:GdVO4激光器在912nm的跃迁为4F3/2→4I9/2时,可以有效地实现连续波内腔倍频。一个15mm长的LBO晶体,在室温下切割为临界I型相位匹配,用于基础激光器的二倍频。在入射泵浦功率为25.6W时,深蓝色光谱范围内456nm处的最大输出功率为11.5W。光转换效率高达45%,功率稳定性在6小时内优于1.58%。