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飞思卡尔半导体近日推出50V横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。
MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级功率，为广播公司节省上万美元的运营成本。MRF6VP3450H在P1dB上提供超过450 W的峰值功率，使整个UHF广播频段的功率效率提高50%。
MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。TV发射器极大地节省了TV广播公司的运营成本。RF功率放大器消耗的功率占到运营成本的绝大部分。
MRF6VP3450H器件可以为运行频率为470MHz～860 MHz 的TV广播的任意RF功率晶体管提供最佳的功率、效率和增益组合。采用平均输出功率为90W的DVB-T 64 QAM OFDM 信号，860 MHz 50 V的典型性能是28%的漏极效率和23 dB增益，其中，4 kHz带宽的相邻信道功率比（ACPR）是-62 dBc的4 MHz偏移。
MRF6VP3450H器件基于飞思卡尔的第六代高电压 （VHV6）50 V LDMOS处理技术。这种先进的技术带来了几项重大突破，包括用于超模压塑料封装中的广播应用的第一个1 kW LDMOS FET和第一个300 W UHFRF功率晶体管。飞思卡尔的广播系列目前包括32V和50 V器件，覆盖10 MHz～860 MHz的频率，功率水平从10 W～1 kW 以上（这是业界目前最广的功率水平）。该系列的所有器件均符合RoHS要求。
MRF6VP3450H目前正在打样，有望在2008年第三季度投入批量生产。飞思卡尔目前已推出参考测试夹具，大信号型号有望在2008年第四季度推出。
MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级功率，为广播公司节省上万美元的运营成本。MRF6VP3450H在P1dB上提供超过450 W的峰值功率，使整个UHF广播频段的功率效率提高50%。
MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。TV发射器极大地节省了TV广播公司的运营成本。RF功率放大器消耗的功率占到运营成本的绝大部分。
MRF6VP3450H器件可以为运行频率为470MHz～860 MHz 的TV广播的任意RF功率晶体管提供最佳的功率、效率和增益组合。采用平均输出功率为90W的DVB-T 64 QAM OFDM 信号，860 MHz 50 V的典型性能是28%的漏极效率和23 dB增益，其中，4 kHz带宽的相邻信道功率比（ACPR）是-62 dBc的4 MHz偏移。
MRF6VP3450H器件基于飞思卡尔的第六代高电压 （VHV6）50 V LDMOS处理技术。这种先进的技术带来了几项重大突破，包括用于超模压塑料封装中的广播应用的第一个1 kW LDMOS FET和第一个300 W UHFRF功率晶体管。飞思卡尔的广播系列目前包括32V和50 V器件，覆盖10 MHz～860 MHz的频率，功率水平从10 W～1 kW 以上（这是业界目前最广的功率水平）。该系列的所有器件均符合RoHS要求。
MRF6VP3450H目前正在打样，有望在2008年第三季度投入批量生产。飞思卡尔目前已推出参考测试夹具，大信号型号有望在2008年第四季度推出。