基于LED驱动芯片BOOST环路的电流采样电路设计

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  摘   要:文章设计了一种基于一款LED驱动芯片BOOST环路的电流采样电路,采用一种电路原理简单且输出损耗小的功率开关管导通电阻的方式,来实现电路采样功能。设计了数字电路模块控制采样电路的启动与关断,保证电路在整个芯片工作时处于正常的工作点。利用BCD工艺,在电源电压为3.7 V下对电路进行仿真验证,仿真后的结果与理论值基本一致,表明该电路能很好地采样电感电流,在LED芯片中正常的工作。
  关键词:BOOST环路;电流采样;功率开关管;导通电阻采样
  1    BOOST环路结构
  众所周知,白光LED具有发光效率高、使用期限长、对环境友好、体积小、重量轻、发光质量高的优点,在当下多种便携电子设备中,白光LED都是作为液晶屏幕的首选背光源。本文采用BCD工艺,提出了一种应用于升压BOOST开关电源型驱动方式点亮LED的电流采样[1-2]。BOOST环路整体结构如图1所示,电流采样电路作为其中重要的一个模块,对输出效率有极为重要的影响。它采集到的电感电流信号再转化成电压的信号,然后会与环路反馈回来的电压值进行逐周期比较,于是就产生了一个功率MOS管得占空比信号。
  2    电流采样电路
  目前,实现电流采样功能的方式有很多,如:串联电阻采样、功率管导通电阻采样、积分器采样、SenseFET采样等。串联电阻采样方法虽然比较简单,但是会在采样电阻上产生更多的损耗,LED驱动变换器的效率也会显著变低。功率管导通电阻采样方法在采样时没有额外的损耗,但是输出的精度有点低,而且需要注意功率管的阻值的合理设计,过小则不能满足控制占空比的要求,过大则会影响LED驱动的效率[3]。
  为了实现LED驱动高的输出效率,本设计结合以上几个方式的优缺点,采用了功率开关管导通电阻采样的方式,本设计电流采样电路结构,如图2所示。
  图2中PVDD和AVDD为芯片电路里的两个供电电源(在具体实际芯片设计考虑中,一般数字电路部分和模拟电路部分会分开电源供电)。图2左边为电流偏置电路,保证MOS晶体管工作在正常的工作状态下;右边部分就是电流采样功能的具体实现电路[4];下面的电路为数字电路模块,在芯片电路中控制采样电路的有序开启与关闭,使得系统得以正常的运行工作。具体分析如下:
  (1)输入信号IBP,给MOS晶体管MP1,MP2一个栅极电压信号,使得MOS管工作在饱和区,从而MN1和MN2构成的电流镜也就正常的工作了,镜像电流IBP,通过MP4和MP5构成的电流镜偏置到后续的电流采样电路中去,使得采样电路正常工作[5-6]。其中,MP3用作电容,起到补偿的作用。
  在采样电路中,如图2所示的MN7,MN8,MN9为高压MOS管,MN10为功率高压MOS管,引脚INGND结MN10的源级,IN接MN10的漏端。当RST1_0为高电平时,MOS管MN7,MN8导通,此时RST1_1为低电平,MOS管MN9关断。根据前面的偏置电路分析,MP6,MP7,MP5,MP8,MN3和MN4构成的共源共栅电流镜,从而使得流过MOS管MN3,MN4的电流I1,I2大小相等。因为MN3和MN4的栅极电压相等,所以它们的源级电压也被钳位相等。即:
  Vs_MN3=VS_MN4
  在设计电流采样电路时,电阻R1和R2完全相等,又有高压MOS管MN7和MN8完全匹配,故两个MOS管的导通电阻相等,所以两条分支电路的总电阻相等,设RM等于RN。
  由图2可知,晶体管MP5,MP6,MP10,MP11也构成电流镜结构,故采样电流ICS与流过晶体管MN5的电流相等。节点M的电压VM=RM×(I1+ICS),N点的电压为电阻R2,高压MOS管MN8的导通电阻以及功率MOS管MN10的导通电阻上的电压之和,即:
  VN=R2×I2+RDS×IL。
  可以得出:
  3    实验结果
  本设计使用了CSMC的BCD工艺,在电源电压3.7 V的状态下,仿真瞬态,看采样电流采样电路的仿真波形,如图3所示。
  在仿真电路中,使采样电阻RA=RN,则采样电压为VCS=RDS×IL,功率MOS管的导通电阻为20.14 kΩ,可以从图3中看到采集到的采样电压与功率MOS管上的电感电流波形流向基本吻合。當电感峰值为48.5 μA,采样电压VCS的峰值为856.2 mV,与理论计算基本一致,说明本设计的电流采样电路在芯片电路中可以正常工作。
  [参考文献]
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