【摘 要】
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研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(vcsel)欧姆接触技术.降低vcsel的欧姆接触电阻,可有效地提高vcsel的输出功率和延长其可靠性.p面采用高掺杂的p-gaas/ti/pt/au系统,n面采用
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态实验室
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研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(vcsel)欧姆接触技术.降低vcsel的欧姆接触电阻,可有效地提高vcsel的输出功率和延长其可靠性.p面采用高掺杂的p-gaas/ti/pt/au系统,n面采用ngaas/ge/au/ni/au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 q,同时对比了440℃和450℃器件的输出功率和转换效率之间的对比关系.测试结果表明,440℃器件的欧姆接触电阻0.04 q,峰值波长980.1 nm,光谱的半高宽0.8 nm,平行发
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