低电压激发荧光粉的饱和效应

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tntdison

【摘要】

：

详细试验了在1000V激发能量下二种候选的绿色FED荧光粉Gd2O2∶Tb和SrGa2S4∶Eu的性能。在Gd2O2S∶Tb荧

【作者】

：

乔希竹

【出处】

：

光电子技术

【发表日期】

：

1997年3期

【关键词】

：

荧光粉低电压衰减时间常数激活剂激发荧光平均电流密度上升时间饱和效应激发脉冲占空系数

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详细试验了在1000V激发能量下二种候选的绿色FED荧光粉Gd2O2∶Tb和SrGa2S4∶Eu的性能。在Gd2O2S∶Tb荧光粉中观察到了强的饱和效应，可解释为由于激活剂相对较少，而导致基态耗尽。用一种简单的两能级模型表明：通过分析

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