GaN基光栅的干法刻蚀工艺

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lisenrui

【摘要】

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研究了基于BCl3/Cl2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀,详细研究了刻蚀气体BCl3/Cl2流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速

【作者】

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郭孝浩胡磊任霄钰吴思张立群张志军杨辉刘建平

【机构】

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上海大学材料科学与工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2021年6期

【关键词】

：

氮化镓分布式反馈光栅电感耦合等离子体刻蚀 BCl3/Cl2

【基金项目】

：

国家重点研发计划(2017YFE0131500,2017YFB0405000),国家自然科学基金(61834008,61574160,61804164,61704184),中国博士后科学基金(2018M630619),江苏省自然科学基金(BK20180254)资助项目。

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研究了基于BCl₃/Cl₂电感耦合等离子体(ICP)刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀,详细研究了刻蚀气体BCl₃/Cl₂流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速率的影响,发现以SiO₂作为硬掩膜,刻蚀速率、台面侧壁粗糙度以及陡直度随着刻蚀气体BCl₃/Cl₂流量比以及压强变化有着显著变化。保持ICP功率和射频功率分别为300 W和1

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