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介绍了利用在MgO衬底上生长NdBa2Cu3Oy(Nd123)薄膜从而诱导生长GdBa2Cu3Oy(Gd123)超导单畴块材的工艺，并在此基础上研究了使用MgO缓冲层诱导生长钆钡铜氧单畴块材的工艺。通过调整热处理参数和缓冲层中Gd2BaCuO5(Gd211)相的含量，克服了MgO与Gd123母体的晶格失配和低反应率的问题。成功制备了Gd123单畴块材，研究了铁镍软磁合金粒子在超导块材中的掺杂作用。结果表明，0.4%(摩尔分数)为最优掺杂比例，超导临界电流在低场和中场下得到了很大的提升，对工业应用有重要意义。超导电流的提升主要源于铁、镍离子对铜位的替代，并提供了额外的磁通钉扎。