【摘 要】
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美国麻省理工学院的研究人员首次用MOCVD外延炉原位原子层淀积出-氧化物。这种新方法可有助于研制因缺乏高品质氧化物而受到阻碍的-MOSFET。过去几年内,非原位原子层淀积将Ga
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美国麻省理工学院的研究人员首次用MOCVD外延炉原位原子层淀积出-氧化物。这种新方法可有助于研制因缺乏高品质氧化物而受到阻碍的-MOSFET。过去几年内,非原位原子层淀积将GaAs氧化物的中带隙界面缺陷密度减至1012eV-1cm-2,非原位转成原位原子层淀积工艺将这一关键品质因素(Q值
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