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使用高亮度发光二极管（HB—LED）的半导体照明技术正受到全球关注，而存在的主要问题是发光效率低。本文指出发光效率即外量子效率是内量子效率和提取效率的乘积。提高内量子效率的方法是获得高质量GaN材料的外延技术．采用四组分AlInGaN结构及在半极性面或非极性面上制作LED．提高提取效率的途径主要有倒装焊技术、表面粗化技术、芯片粘合技术、芯片成形技术以及微芯片阵列技术等。