【摘 要】
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采用SEM、EDS、XRD分析了SiB4微粉化学气相渗透（CVI）SiC后的组成和结构,并用热力学计算研究了SiB4微粉在CVI SiC过程中变化的原因。结果表明：在CVI SiC过程中SiB4微粉不发生分解
【机 构】
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西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室,龙岩学院化学与材料学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(90405015);国家杰出青年科学基金(50425208)
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采用SEM、EDS、XRD分析了SiB4微粉化学气相渗透（CVI）SiC后的组成和结构,并用热力学计算研究了SiB4微粉在CVI SiC过程中变化的原因。结果表明：在CVI SiC过程中SiB4微粉不发生分解,但在近表层处氧化生成SiO2和B2O3。用SiB4浆料浸渍结合CVI工艺对C/SiC基体进行自愈合改性时,难以形成均匀致密的基体。
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