热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：L936355705

【摘要】

：

本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.

【作者】

：

王苏杰李树强吴小明陈芳江风益

【机构】

：

南昌大学

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2020年4期

【关键词】

：

ALGAINP 欧姆接触退火工艺发光二极管 AlGaInPohmic contactannealing processfilm chip

【基金项目】

：

国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600,2016YFB0400601,2016YFB0400603)资助的课题

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本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10^–4 Ω·cm^2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/Ni/Au与n-AlGaInP界面发生固相反应,Ga,In原子由于热分解发生外扩散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把欧姆接触形成的原因归结为Ge原子内扩散占据Ga空位和In空位作为施主提高N型掺杂浓度.优

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