论文部分内容阅读
在具有输入、输出静电保护的集成电路中，往往会出现非正常的静电损伤。这是由电源与地之间的静电压以及管脚之间的静电压通过内部电源线的放电而引起的。这种静电损伤给芯片的制造和使用带来了很大的困难。在基于传输诊测电路的电源到地NMOSESD保护结构的基础上，设计了基于衬底触发场氧器件（STFOD）结构的箝位电路和版图，使芯片的静电等级得到大幅提高。