【摘 要】
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传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展.动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内.传统的方法是通过不断地减小介
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传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展.动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内.传统的方法是通过不断地减小介电层(非晶SiO2)的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的.然而,当电介质的厚度小到一定程度后,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作,这个厚度就是它的极限厚度.约80年代末期,人们开始普遍的关注到这个极限的到来,并开始寻找解决的途径.
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