【摘 要】
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以三维纳米多孔铜为基底,采用水浴法,使锡基金属有机物框架原位嵌入生长在其表面的孔隙中,然后进行热处理,最终制得铜/氧化铜/二氧化锡/碳复合电极.采用SEM、XRD、EDX等测试
【机 构】
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四川大学机械工程学院,四川成都610065
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以三维纳米多孔铜为基底,采用水浴法,使锡基金属有机物框架原位嵌入生长在其表面的孔隙中,然后进行热处理,最终制得铜/氧化铜/二氧化锡/碳复合电极.采用SEM、XRD、EDX等测试方法表征了电极结构并进行了电化学性能测试.结果表明,氧化铜膜是由三维纳米多孔铜表面部分氧化形成的连续膜,碳包裹的二氧化锡嵌入在多孔基底的孔隙中.这种复合电极在电流密度为lmA/cm2电流密度条件下首次充电比容量达到4.8 mAh/g;在循环120周后,可逆比容量保持在2.2 mAh/g,容量保持率达到了45.9％.
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