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重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明，未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷，与电极连接时欧姆接触性能较差，在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极；对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能，制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面，直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。