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低能高电荷态离子U(q+)在金属Al(111)表面掠射产生沟道效应的计算机模拟
低能高电荷态离子U(q+)在金属Al(111)表面掠射产生沟道效应的计算机模拟
来源 :全国第九次释光与电子自旋共振测定年代学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:backdoor6402415
【摘 要】
:
用自己编写的STARF程序,系统地研究了低能高电荷态离子U~(q+)(q=l0-40)在Al(111)晶面上掠射时,反射系数、反射离子的角分布等对于离子入射角、电荷态和能量的依赖关系;并探讨
【作 者】
:
胡碧涛
宋玉收
【机 构】
:
兰州大学物理学院原子核研究所兰州730000
【出 处】
:
全国第九次释光与电子自旋共振测定年代学术讨论会
【发表日期】
:
2004年7期
【关键词】
:
低能高电荷态离子
镜像电荷
沟道效应
计算机模拟
反射系数
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用自己编写的STARF程序,系统地研究了低能高电荷态离子U~(q+)(q=l0-40)在Al(111)晶面上掠射时,反射系数、反射离子的角分布等对于离子入射角、电荷态和能量的依赖关系;并探讨了高电荷态离子在金属表面产生沟道效应的条件。
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