用In2O3薄膜制成的高感度半导体O3传感器

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Shauphei
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用In2O3作敏感膜研制小型固态高感度(sensibility)(10×10^-9~1×10^-6)O3传感器,研究了膜厚,气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffectTransistor)型O3传感器具有灵敏的响应特性,并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O3非常敏感的物理机制。
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