【摘 要】
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以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V2O5,MoO3,Bi2O3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带
【机 构】
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中国电子科技科技集团公司第九研究所
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以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V2O5,MoO3,Bi2O3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。
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