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采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO：Mo（ZMO）透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，薄膜的结构和光电性能与钼含量以及基片温度有关。X光衍射图谱（XRD）显示薄膜具有六角纤锌矿结构，并且在基片温度为200℃，钼含量（Mo／Zn＋Mo）为1．5wt％时薄膜具有较好的c轴取向。制备出的ZMO薄膜最低电阻率为1．97×10^-3Ω·cm，相应载流子迁移率达37．0cm^2V^-1S^-1，载流子浓度为8．57×10^19