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采用UHV／CVD技术，以多层SiGe／Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底，并在此基础上生长出了具有张应力的Si层．利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析．结果表明，通过这种方法制备的SiGe虚衬底，不仅可以有效提高外延层中Ge含量，以达到器件设计需要，而且保证很好的晶体质量和平整的表面．Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×10^6cm^-2．