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随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题.
PMOSFET的NBTI效应
【摘 要】
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随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产
【机 构】
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华南理工大学微电子学系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年5期
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