2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rongweihua

【作 者】

：

袁瑞霞  阎春辉  国红熙  李晓兵  朱世荣  曾一平  李灵 

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1996年01期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

新江苏的“智慧之翼”——走进新常态下的智慧江苏

期刊

云南省澜沧江流域蚊虫流行性乙型脑炎病毒分子特征分析

期刊

词类转换在英译汉中的应用——以 What A Wonderful World: One Man’s Attempt to Explain the Big Stuff(第十一、十七章)的汉译为例

学位

面向地理分析模拟的城市小区场景数据组织方法

期刊

砷污染土壤原位钝化材料修复效果及机制的研究进展

期刊

经皮穴位电刺激对围术期肺癌患者免疫功能的调节

期刊

The Boundary and Object for Evaluation on Environmental Cost for Commercial Plantation

期刊

Regional differences in the timing of recent air warming during the past four decades in China

期刊

NK/T细胞淋巴瘤患者中血浆EB病毒含量检测及其临床意义

期刊

不同激素剂量和组合对不同品系小鼠超数排卵的影响

期刊