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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。仿真结果表明,在1.2V电源电压下,带隙基准电压源的温度系数为4.5ppm/℃;在低频处的电源抑制比为-62dB。
一种高阶温度补偿的带隙基准电压源
【摘 要】
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。仿真结果表明,在1.2V电源电压下,带隙基准电压源的温度系数为4.5ppm/℃;在低频处的电源抑制比为-62dB。
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院
【出 处】
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数字技术与应用
【发表日期】
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2018年12期
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