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采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜，研究了φ（N2）对薄膜的结构和性能影响。研究发现，在N2分压（体积分数）为9％时，多相共存的TaN薄膜表现出TaN（200）面择优取向，方阻和吼达到最佳，其值为52Ω/□和-306×10^-6／℃．薄膜的方阻、电阻温度系数α1和晶粒尺寸都随着N2分压的增大而增大：当N2分压高于11％N，薄膜的方阻和α1增长较快。