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集成电路从16 nm特征尺寸开始进入三维时代,其发展快速趋近摩尔定律极限,成为世界高科技竞争的制高点.伴随尺寸微缩与结构的复杂组合,集成电路制造尺度效应和尺寸效应都被激发和强化,面对芯片的晶圆级三维集成,尺寸缩微后被强化和复杂化的电磁感应对信号的扰动、高度密集的异质异构三维微缩结构去除与生长共存的困难以及电磁、热、力强耦合下结构完整性与可靠服役差等系列挑战.典型的三维集成结构示意图,如图1所示.