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2009年10月28日，美国加州圣克拉拉＆瑞士日内瓦——英特尔公司与恒忆（Numonyx B．V．）今天公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。
英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果
【摘 要】
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2009年10月28日，美国加州圣克拉拉＆瑞士日内瓦——英特尔公司与恒忆（Numonyx B．V．）今天公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器
【出 处】
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电信技术
【发表日期】
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2009年21期
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