【摘 要】
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在微机电技术中,利用刻蚀方法对硅进行体结构加工是一步重要的工艺程序.本文提出了一种基于四甲基氢氧化铵的新型刻蚀方法,四甲基氢氧化铵刻蚀溶液被加热到沸点,单晶硅片置于
【机 构】
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中北大学,北京计算机应用技术研究所,南京微纳工程研究中心
【基金项目】
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supported by the National Natu-ral Science Foundation of China(No.51675493 and No.51975542),the National Key R&D Program of China(No.2018YFF0300605,No.2019YFF0301802,and No.2019YFB2004802),Program
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在微机电技术中,利用刻蚀方法对硅进行体结构加工是一步重要的工艺程序.本文提出了一种基于四甲基氢氧化铵的新型刻蚀方法,四甲基氢氧化铵刻蚀溶液被加热到沸点,单晶硅片置于刻蚀液面的上方,通过刻蚀溶液的蒸汽实现对硅片的各向异性气相刻蚀,此方法并不依赖于昂贵的传统干法刻蚀真空设备.相比于传统湿法刻蚀,本文提出的刻蚀方法具有若干优点,例如低粗糙度、高刻蚀速率和高均匀性,刻蚀速率和表面粗糙度分别可达到2.13 μm/min和1.02 nm.同时,在背腔刻蚀工艺中,在硅片非刻蚀面上的隔膜结构和Al基图形可被完好无损地保存
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