【摘 要】
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为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析
【机 构】
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四川民族学院数学系,四川大学原子与分子物理研究所
【基金项目】
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国家科技支撑计划资助项目(2014GB111001,2014GB125000),,四川省教育厅自然科学基金重点资助项目(16ZA0363)
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为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV~2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV~2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV~3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高
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