【摘 要】
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隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全
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隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。
The growth of the thin SIO2 in the tunnel hole is one of the key processes in the fabrication of EEPROM circuits. The process simulation of thermal growth of ultrathin SIO2 was simulated by SUPREM-Ⅱ Artificial Simulator. After a large number of process experiments and optimization, to determine the optimal growth conditions of thin SIO2, grow SIO2 good performance, fully meet the requirements of the development of EEPROM.
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