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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
来源 :吉林工业大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:one9871023
【摘 要】
:
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器
【作 者】
:
万春明
徐安怀
曲轶
【机 构】
:
长春光学精密机械学院
【出 处】
:
吉林工业大学自然科学学报
【发表日期】
:
2001年4期
【关键词】
:
半导体激光器
分子束外延生长
量子阱
输出功率
梯度折射率
GAALAS
GaAs
砷化镓
镓铝砷
semiconductor laser array MBE
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分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 W,峰值波长为806~809 nm.
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