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为了研究铜屏蔽层绕制方式对绝缘管母运行安全的影响,针对某地区110k V变电站35k V侧绝缘管母出现的外护套烧蚀击穿故障案例进行了研究。通过管母烧蚀击穿点的红外热成像,结合管母的有限元仿真对管母铜屏蔽层在绕包和叠包绕制方式下管母半导电层的电势分布、电流密度以及阻性损耗密度进行了对比分析。研究结果表明：两种绕制方式下管母的半导电层电势分布、电流密度及阻性损耗存在明显差异。管母采用绕包时在铜屏蔽层截断处容易形成局部高电势,半导电层表面电流及局部阻性发热功率密度大,半导电层发热严重并存在明显的过热点;采用叠包